Dado que los módulos de 3 GB no son comunes, la confirmación de la producción en masa, especialmente a partir de 28 Gbps, es una adición bienvenida a las opciones de VRAM más rápidas. Sin embargo, como Samsung ya está probando módulos de memoria GDDR7 de 40 Gbps con una capacidad de 3 GB, será interesante ver dónde se utilizarán estos módulos. Para la actualización SUPER de mitad de ciclo de NVIDIA de las GPU de la serie GeForce RTX 50, es probable que la compañía utilice chips que ya están en producción en masa, ya que la etapa de muestreo por sí sola no es suficiente para el lanzamiento del producto. Garantizar un suministro adecuado es crucial, por lo que primero se debe reunir un stock adecuado de chips GDDR7.
Los competidores de Samsung no se quedan quietos. SK Hynix se está preparando para mostrar la próxima ola de DRAM de alta velocidad en ISSCC 2026, con un chip GDDR7 de 24 Gb con una velocidad de 48 Gbps. Este módulo utiliza un diseño simétrico de doble canal e interfaces internas actualizadas para superar las velocidades de 32 a 37 Gbps esperadas anteriormente para GDDR7. La velocidad por pin representa un aumento de más del 70 % con respecto a los 28 Gbps actuales, lo que aumenta el ancho de banda por chip de 112 GB/s a 192 GB/s. El rápido avance de GDDR7 se produce cuando la industria requiere más ancho de banda en módulos de chip de 3 GB, por lo que los fabricantes de memorias deben mantenerse al día con la demanda.
